SI7852ADP-T1-E3
Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|---|---|---|
| SI7852ADP-T1-E3 (VISHAY) | 6 | 544.10 |
Описание SI7852ADP-T1-E3
MOSFET N-CH 80V 12A 8-SOТехнические характеристики SI7852ADP-T1-E3
Параметр |
Значение |
|---|---|
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | TrenchFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17 mOhm @ 10A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 30A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 45nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1825pF @ 40V |
| Power - Max | 62.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | PowerPAK® SO-8 |
| Корпус | PowerPAK® SO-8 |
Москва º ул.Марксистская, д.34, корп.7 º (495) 925-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (4732) 695-140
www.kontest.ru