FDG6322C

Версия для печати

Наименование
Кол-во
Цена
 
FDG6322C 4 Заказ радиодеталей

Технические характеристики FDG6322C

Rds On (Max) @ Id, Vgs 4 Ohm @ 220mA, 4.5V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type N and P-Channel
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 220mA, 410mA
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 0.4nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 9.5pF @ 10V
Power - Max 300mW
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Корпус SC-70-6
Product Change Notification Mold Compound Change 12/Dec/2007 Mold Compound Change 07/May/2008
FDG6322C
N/P-канальные транзисторные модули

Dual N and P Channel Digital Fet

Производитель:
Fairchild Semiconductor
http://www.fairchildsemi.com

fdg6322c.pdf
249.28Kb
12стр.