IRF7105
Версия для печати
N-канальный и P-канальный Полевой транзистор в одном корпусе(Vds=25V, Id=3.5A/2.3A, Rds=0.10/0.25 R, P=2.0W, -55 to +150C), smd.Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| IRF7105TRPBF | 2980 | 45.55 руб. | |
Описание IRF7105
Микросхема IRF7105 сборка из двух полевых транзисторов IRF7105 может применяться для управления относительно мощной нагрузкой например маломощный коллекторный двигатель. Так же для управления шаговыми двигателями, как униполярными так и биполярными. Малогабаритный корпус SOIC 8 дает возможность применять микросхему IRF7105 в миниатюрных устройствах.
Технические характеристики IRF7105
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 1A, 10V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | N and P-Channel |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 3.5A, 2.3A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 27nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 330pF @ 15V |
| Power - Max | 2W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
|
LXE1710 N-канальный и P-канальный Полевой транзистор в одном корпусе(Vds=25V, Id=3.5A/2.3A, Rds=0.10/0.25 R, P=2.0W, -55 to +150C), smd. Также в этом файле: IRF7105
Производитель:
|
||
