IRF7309

Версия для печати Сдвоенные N & P-канальные полевые транзисторы (Vds=30V(--30V), Id=4.0A(--3.0A)@t=25C, 3.2A(--2.4A)@t=70C, Rds=0.05 R(0.1R), P=1.4W), smd.

Наименование
Кол-во
Цена
 
IRF7309 (INTERNATIONAL RECTIFIER) 800 97.92 руб. 

Описание IRF7309

Пара N+P-канальных МОП транзисторов в общем планарном корпусе типа SO-8.

Параметр                              N-канал            P-канал
Uси.max                                  30V                  -30V
Uзи.max                                          +/- 20V
Iс.max                4A(+25oC), 3,2A(+70oC) /-3A(+25oC) -2,4A(+70oC)
Pрасс.max                             1,4W (при +25oC)
Rси.откр. (тип.)                      0,05 Om            0,1 Om
Свх/Cвых (тип.)                 520pF/180pF     440pF/200pF
tвкл/выкл (тип.)                   6.8nS/22nS        11nS/25nS
Tраб.                                          -55oC..+150oC

Технические характеристики IRF7309

Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 4A, 3A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50 mOhm @ 2.4A, 10V
FET Feature Standard
FET Type N and P-Channel
Серия HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 25nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 520pF @ 15V
Power - Max 1.4W
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус 8-SO
IRF7309
N/P-канальные транзисторные модули

HEXFETand#174; Power MOSFET

Производитель:
International Rectifier
http://www.irf.com

irf7309.pdf
164.58Kb
8стр.