КП303Г

Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа, для применения в зарядочувствительных усилителях и других устройствах

Описание КП303Г

Транзисторы кремниевые полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. КП303Г предназначены для применения в зарядочувствительных усилителях и других устройствах. Корпус металлостеклянный с гибкими выводами.
Основные технические характеристики транзистора:
• Структура транзистора: с p-n-переходом и n-каналом;
• Uзи отс. - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: не более 8 В;
• Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 25 В;
• Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 30 В;
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 30 В;
• Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 200 мВт;
• Iс - ток стока (постоянный): 20 мА;
• Iс нач. - начальный ток стока: не более 12 мА;
• Iс ост. - остаточный ток стока: 5 мА;
• S - крутизна характеристики: 3... 7 мА/В;
• С - входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 6 пФ;



Москва º ул.Марксистская, д.34, корп.7 º (495) 925-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (4732) 695-140
www.kontest.ru