КТ529А

Версия для печати Транзисторы P-N-P с малым напряжением насыщения

Наименование
Кол-во
Цена
 
КТ529А (КРЕМНИЙ) 533 21.42 руб. 

Описание КТ529А

Транзисторы КТ529А (p-n-р)  с малым напряжением насыщения изготавливают по эпитаксиально-планар-ной технологии. Выполнены в пластмассовом корпусе КТ-26 с жесткими выводами. Транзисторы предназначены для работы в переключательных, импульсных узлах аппаратуры широкого применения.
Характеристики при Токр.ср = 25±10°С
Обратный ток коллектора, мкА, не более, при Uк-б 80 В .........................1
Обратный ток эмиттера, мкА, не более, при Uб-э 4В ..........................1
Uнасыщения к-э, В, не более, при токе коллектора 300 мА и токе базы 10 мА....................0,2
типовое значение .........0,13
Статический коэффициент передачи тока базы, не менее, при Uк - э 5 В и I = 300 мА .....................180
типовое значение..........250
Граничное напряжение, В, не менее, при токе эмиттера 10 мА ...................40
типовое значение...........45
Коэффициент передачи тока базы на высокой частоте, не менее, при Uк-э 5 В, токе эмиттера 300 мА и частоте 100 МГц ..................1,5
Предельно допустимые значения
Наибольшее постоянное Uк-э, В ...................60
Наибольшее постоянное напряжение Uэ-б, В ............................4
Наибольший постоянный ток коллектора, А, при условии непревышения допустимой мощности рассеяния .........................1
Наибольшая постоянная рассеиваемая мощность, Вт, при температуре окружающей среды
-60...+25°С ...............0,5
+85 °С...................0,25
Рабочий интервал температуры окружающей среды, °С ....................-60...+85



Транзисторы P-N-P с малым напряжением насыщения

kt529a.pdf
161,76kB
1стр.