КТ817А

Версия для печати Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный

Наименование
Кол-во
Цена
 
КТ817А (МИНСК) 738 26.40 руб. 

Описание КТ817А

Структура n-p-n
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база        40 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер     40 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора       3000(6000) мА
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом)        1(25) Вт
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером      25-275
Обратный ток коллектора       <=100 мкА
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером     =>3 МГц
Коэффициент шума биполярного транзистора   <0.6 дБ

Аналоги для КТ817А

Наименование
Кол-во
Цена
 
BD435 (ST MICROELECTRONICS) 20 15.20 руб. 


Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный

kt817a.pdf
94,35kB
2стр.