BF998
Версия для печати
Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2ВтОписание BF998
Структура транзистора: MOSFET
Тип управляющего канала: N
Предельная постоянная рассеиваемая мощность стока (Pd) транзистора: 0.2 Bт
Напряжение пробоя сток-исток (Uds): 12V B
Предельное напряжение затвор-исток (Ugs): 8 В
Предельный ток затвора транзистора (Id): 0.03 А
Предельная температура (Tj): 150 С
Ёмкость стока (Cd): 1.05 Пф
Технические характеристики BF998
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | N-Channel Dual Gate |
| Частота | 200MHz |
| Voltage - Test | 8V |
| Current Rating | 30mA |
| Noise Figure | 0.6dB |
| Current - Test | 10mA |
| Номинальное напряжение | 12V |
| Корпус (размер) | TO-253-4, TO-253AA |
| Корпус | SOT-143B |
|
BF998RW N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode
Производитель:
|
||
