MRF6V2010NBR1
Описание MRF6V2010NBR1
IC MOSFET RF N-CHAN TO272-2Технические характеристики MRF6V2010NBR1
Параметр |
Значение |
|---|---|
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Transistor Type | LDMOS |
| Частота | 220MHz |
| Frequency | 220MHz |
| Gain | 23.9dB |
| Voltage - Test | 50V |
| Current Rating | 2.5mA |
| Current - Test | 30mA |
| Power - Output | 10W |
| Номинальное напряжение | 110V |
| Корпус (размер) | TO-272-2 |
| Корпус | TO-272-2 |
Москва º ул.Марксистская, д.34, корп.7 º (495) 925-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (4732) 695-140
www.kontest.ru