ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

← | 104 | 105 | 106 | 107 | 108 | 109 | 110 | 111 | 112 | 113 | →
Наименование
Описание
Кол-во
Цена
Купить
2Т396А-2 		82 22.08 руб. 
2Т399А 900 363.07 руб. 
2Т603Г 38 173.58 руб. 
2Т608А 8 295.00 руб. 
2Т663А 		39 226.92 руб. 
2Т828А 2 264.96 руб. 
2Т9104Б 		16 1 985.55 руб. 
2Т9123Б 		26 743.75 руб. 
2Т932А 260 249.61 руб. 
2Т933А 80 140.03 руб. 
2Т933Б 80 140.03 руб. 
2Т933Б 80 135.27 руб. 
2Т980Б 		36 3 091.20 руб. 
2ТС398А-1 		80 47.63 руб. 
3П325А-2 266 Заказ радиодеталей
3П326А-2 		266 90.49 руб. 
3П339А-2 		94 113.46 руб. 
ГТ108А 		266 30.48 руб. 
ГТ403В 		80 40.01 руб. 
ГТ905А 266 153.36 руб. 
КП303А Tранзистор полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. 10 224 27.23 руб. 
КП303Б Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа, для применения во входных каскадах усилителей 1 200 148.78 руб. 
КП303Д Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе управляющего p-n перехода и каналом n-типа, для применения во входных каскадах усилителей высокой частоты частот с высоким входным сопротивлением 800 45.72 руб. 
КП303Е Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа 200Вт, 25В, 20мА 7 267 34.04 руб. 
КП303Ж Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа 19 323 22.69 руб. 
КП307А Транзистор кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа для применения во вх. и вых. каскадах усилителей выс.и низ.частот с высоким вх. сопр. 80 60.01 руб. 
КП307Б 80 60.01 руб. 
КП307Б1 		800 30.48 руб. 
КП307Е никель 400 60.01 руб. 
КП308В-1 		234 22.69 руб. 
КП501В 		266 25.72 руб. 
КП502А 		1 257 38.58 руб. 
КП523А 		4 784 45.38 руб. 
КП707В2 (BUZ90) 1 170.19 руб. 
КП785А 		26 304.82 руб. 
КП813Б 		8 333.40 руб. 
КП948Б 		2 115 22.69 руб. 
КТ201АМ 800 20.00 руб. 
КТ208А 1 111 45.38 руб. 
КТ209В 800 17.15 руб. 
КТ209Е 3 072 11.35 руб. 
КТ209Ж 800 17.15 руб. 
КТ209К Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц, для применения в усилительных и импульсных микромодулях и блоках герметизированной аппаратуры, КТ209Б1, КТ209В1 - в блоках ТВ п 2 400 18.38 руб. 
КТ209Л 12 432 3.45 руб. 
КТ209М 1 136 11.35 руб. 
КТ3102АМ Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц 11 190 13.62 руб. 
КТ3102ВМ Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный 2 613 11.35 руб. 
КТ3102ДМ 533 15.24 руб. 
КТ3107А Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, 250Вт, 200МГц 4 789 14.07 руб. 
КТ3107Б Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц 800 15.24 руб. 
 
 
 
 
 
← | 104 | 105 | 106 | 107 | 108 | 109 | 110 | 111 | 112 | 113 | →