Полупроводники
|
Наименование
|
Описание
|
Кол-во
|
Цена
|
Купить
|
|---|---|---|---|---|
| IRF7341TRPBF | 27 968 | 38.66 руб. | ||
|
|
Сдвоенный P-канальный Полевой транзистор (Vds=20V, Id=2.3A@t=25C, 1.8A@t=70C) | 1 660 | 35.66 руб. | |
|
|
Сдвоенный N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=5.2A@t=25C, Id=4.1A@t=70C) | 472 | 57.03 руб. | |
|
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=30V, Id=6.5A@T=25C, Id=5,2A@T=70C, Rds=0.029 Ohm, P=2W, -55 to +150C) | 80 | 85.26 руб. | |
| SI9936DY | 522 | 90.28 руб. | ||
|
|
Сдвоенный N-канальный Полевой транзистор (Vds=30V, Id=4.9@T=25C, 3.9A@T=70C) | 266 | 75.89 руб. | |
|
|
Сдвоенный N-канальный Полевой транзистор (Vds=30V, Id=4.9@T=25C, 3.9A@T=70C) | 35 | 70.38 руб. | |
|
|
N-канальный и P-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=5.2A/4.3A, Rds=0.05/0.09 R, P=2.0W, -55 to +150C), smd. | 1 200 | 31.00 руб. | |
|
|
Сдвоенные N-канальные с упр. логич. уровнем Vси = 50 В, Rоткр = 0.13 Ом, Id(25°C) = 3 A | 96 | 53.70 руб. | |
|
|
Dual n-channel enhancement mode field effect transistor | 9 120 | 2.57 руб. | |
|
|
Сдвоенные N и P-канальные полевые транзисторы Vси=-55/55 В, Rоткр = 0.056/0.043 Ом, Id(25oC)=-3.4/4.7A | 5 |
|
|
| IRF7389TRPBF | 8 | 67.71 руб. | ||
| FDC6302P | 5 |
|
||
| FDC6333C | 72 | 45.14 руб. | ||
|
|
Сдвоенный N-канальный полевой транзистор (Vds=50V, Id=3.0A@t=25C, 2.3A@t=70C) | 902 | 26.09 руб. | |
| IRF7104TRPBF | 3 140 | 48.10 руб. | ||
|
|
N-канальный и P-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=5.2A/4.3A, Rds=0.05/0.09 R, P=2.0W, -55 to +150C), smd. | 60 | 64.44 руб. | |
| IRF7313TRPBF | 2N-канальный 30В 6.5А | 6 360 | 35.40 руб. | |
| IRF7342TRPBF | 6 380 | 122.25 руб. | ||
| IRF7507TRPBF | 3 | 34.72 руб. | ||
| IRF7319TRPBF | 1 987 | 50.23 руб. | ||
| IRF7101PBF | 2N- | 2 | 37.20 руб. | |
| IRF7316TRPBF | 1 340 | 40.82 руб. | ||
| IRF7324TRPBF | 192 | 116.54 руб. | ||
| IRF7309TRPBF | 2 318 | 47.70 руб. | ||
| IRF8910TRPBF | 1 504 | 65.59 руб. | ||
| NTJD4001NT1G | 4 |
|
||
| SI4816BDY-T1-E3 | 68 |
|
||
| SI4948BEY-T1-E3 | 4 |
|
||
| SI4388DY-T1-E3 | 2 |
|
||
| SI4946BEY-T1-GE3 | 602 | 355.06 руб. | ||
| SI7232DN-T1-GE3 | 37 | 63.50 руб. | ||
| SI7234DP-T1-GE3 | 384 | 474.54 руб. | ||
| SIA517DJ-T1-GE3 | 8 |
|
||
| IRL6372TRPBF | 16 | 60.75 руб. | ||
|
|
4 240 | 73.15 руб. | ||
|
|
4 |
|
||
|
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET 60В, 84A, 12мОм@50A, 200Вт | 836 | 45.36 руб. | |
|
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET | 35 | 248.27 руб. | |
|
|
Транзистор полевой N-Канальный 500VВ 5A, 74Вт | 672 | 31.87 руб. | |
|
|
Полевой транзистор N-канальный (500V, 8A, 125W, 0.85R) | 8 | 132.11 руб. | |
|
|
Полевой транзистор N-канальный (500V, 8A, 125W, 0.85R) | 8 | 132.11 руб. | |
|
|
Транзистор полевой | 3 | 444.63 руб. | |
|
|
Транзистор полевой | 124 | 225.70 руб. | |
|
|
Транзистор полевой N-канальный 600В 6.1А | 266 | 145.23 руб. | |
|
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET +D (200V, 94A, 580W) | 168 | 258.16 руб. | |
|
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.93A@T=70C, Rds=0.25 R, P=540mW), управление логич. уровнем. | 64 | 20.31 руб. | |
|
|
Транзистор полевой P - канальный для SMD монтажа , 20В, 780мА, 540мВт | 1 600 | 3.83 руб. | |
|
|
Транзистор полевой P - канальный для SMD монтажа , 20В, 780мА, 540мВт | 20 000 | 13.64 руб. | |
|
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А | 1 183 | 31.60 руб. | |

