IRFZ34N

Версия для печати N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=29A@T=25C, Id=20A@T=100C, Rds=0.04 R, P=68W, -55 to +175C)

Наименование
Кол-во
Цена
 
IRFZ34N (INTERNATIONAL RECTIFIER) 53 110.16 руб. 

Описание IRFZ34N

Конфигурация и полярность N
Максимальное напряжение сток-исток 55 В
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 26 А
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) 40 мОм
Диапазон номинальных напряжений затвора 10 В
Максимальное напряжение затвора 20 В
Заряд затвора 22.7 нКл
Рассеиваемая мощность 56 Вт
Примечание HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Корпус TO-220-3

Технические характеристики IRFZ34N

FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40 mOhm @ 16A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 29A
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 34nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 700pF @ 25V
Power - Max 3.8W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-262-3 (Straight Leads)
Корпус TO-262
IRFZ34NS
N-канальные транзисторные модули

55V Single N-channel HexFET Power MOSFET inA D2-Pak Package

Также в этом файле: IRFZ34NS

Производитель:
International Rectifier
http://www.irf.com

irfz34ns.pdf
152.01Kb
10стр.