ТРАНЗИСТОРЫ

| 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 |
Наименование
Описание
Кол-во
Цена
Купить
КТ8110А 240 38.40 руб. 
КТ8110А 240 36.00 руб. 
КТ8115А
72 178.50 руб. 
КТ8116А
299 52.80 руб. 
КТ812Б 167 158.40 руб. 
КТ8130А 533 Заказ радиодеталей
КТ8130А 533 36.72 руб. 
КТ8130Б 266 36.72 руб. 
КТ8130В 266 36.72 руб. 
КТ8131А 688 32.40 руб. 
КТ8131Б 392 24.00 руб. 
КТ8131В 266 33.66 руб. 
КТ8140А1
266 48.96 руб. 
КТ814А Транзистор кремниевый структуры NPN усилительный 10Вт, 1,5А, 40В 2 310 34.80 руб. 
КТ814Б Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 3 240 38.40 руб. 
КТ814В Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 36 105 36.00 руб. 
КТ815А Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, 3МГц, 40В, 1,5А 1 775 38.40 руб. 
КТ815Б Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1 210 38.40 руб. 
КТ815В Транзистор кремниевый NPN усилительный 3МГц, 70В, 1,5А 2 261 38.40 руб. 
КТ815Г Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт f<3МГц, Кус.=30-275 8 611 40.80 руб. 
КТ816А Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 2 518 33.60 руб. 
КТ816Б Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 2 212 38.40 руб. 
КТ816В Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных устройствах 914 36.00 руб. 
КТ817А Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1 187 38.40 руб. 
КТ817Б Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт 2 427 38.40 руб. 
КТ817В Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, 3МГц, 25Вт 2 772 38.40 руб. 
КТ817Г Транзистор средней мощности среднечастотный структуры NPN усилительный 6 670 36.00 руб. 
КТ818А Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, для применения в усилителях и переключающих устройствах 464 40.13 руб. 
КТ818АМ Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, для применения в усилителях и переключающих устройствах 200 61.25 руб. 
КТ818Б Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, для применения в усилителях и переключающих устройствах 798 40.13 руб. 
КТ818БМ 188 59.14 руб. 
КТ818В Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, для применения в усилителях и переключающих устройствах 800 48.96 руб. 
КТ818Г Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный 4 654 95.52 руб. 
КТ818ГМ Транзистор большой мощности среднечастотный структуры PNP 168 480.00 руб. 
КТ819А 464 57.61 руб. 
КТ819АМ 50 72.00 руб. 
КТ819Б Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные, для применения в усилителях и переключающих устройствах 82 81.90 руб. 
КТ819БМ 17 72.00 руб. 
КТ819В Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN переключательный 172 81.90 руб. 
КТ819ВМ 274 84.48 руб. 
КТ819ГМ Транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN 481 276.00 руб. 
КТ820В-1
53 30.60 руб. 
КТ825Г Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А 175 1 500.00 руб. 
КТ825Д 53 1 377.00 руб. 
КТ826А 40 391.68 руб. 
КТ826Б 80 391.68 руб. 
КТ826В 8 312.12 руб. 
КТ827В Составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN 170 231.00 руб. 
КТ828Б
66 108.00 руб. 
КТ829А Транзистор кремниевый NPN составной усилительный 12А, 60Вт, 100В, 120пФ 3 588 76.80 руб. 
 
 
 
 
 
| 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 |