ТРАНЗИСТОРЫ

| 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 |
Наименование
Описание
Кол-во
Цена
Купить
КТ830В никель 5 446.76 руб. 
КТ831В никель 5 257.04 руб. 
П403А
66 12.67 руб. 
КТ807А
16 14.40 руб. 
МП25Б
241 14.40 руб. 
2Т378Б1-2
20 294.00 руб. 
2Т117А
54 472.32 руб. 
2Т321Е
1 912 24.00 руб. 
2Т9104А
26 2 570.40 руб. 
2Т912Б 49 840.00 руб. 
КП 103Л1 Полевой транзистор P-канальный, 12В, 0.066Вт 712 38.40 руб. 
КП103Л1 Полевой транзистор P-канальный, 12В, 0.066Вт 608 62.58 руб. 
КП350Б 55 144.00 руб. 
КП934А 16 211.20 руб. 
КТ315Д Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, для применения в усилителях высокой, промежуточной и низкой частоты 51 108 4.22 руб. 
КТ315Д ЖЕЛТ. Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, для применения в усилителях высокой, промежуточной и низкой частоты 12 200 2.40 руб. 
КТ315Д1 Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, для применения в усилителях высокой, промежуточной и низкой частоты 800 20.20 руб. 
КТ337А 8 17.14 руб. 
КТ350А 533 17.14 руб. 
КТ361А1 (КТ361А) 51 200 7.08 руб. 
КТ803А Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный 15 472.50 руб. 
КТ878Б 485 288.00 руб. 
КТ934А 5 936.36 руб. 
МП41
22 14.78 руб. 
2П907А 80 1 083.24 руб. 
2Т331Б-1
76 54.60 руб. 
2П923Б 24 1 800.00 руб. 
2Т370Б-1
28 120.38 руб. 
КТ8285Б1
8 238.68 руб. 
КТ863А
400 73.44 руб. 
2Т312В 102 262.50 руб. 
П402
80 42.84 руб. 
КТ639Е 266 33.66 руб. 
КТ8225А
22 204.00 руб. 
2Т708А Биполярный универсальный транзистор p-n-p 100В, 2.5А, 3МГц, 5Вт 16 132.30 руб. 
КТ6114А (SS8050B) 533 14.69 руб. 
КТ6115А (SS8550B) 800 14.69 руб. 
2Т388А-2
352 72.00 руб. 
2Т672А-2Н
320 19.20 руб. 
2Т708В
110 432.00 руб. 
КП304А Транзисторы кремниевые диффузорно-планарные полевые с изолированным затвором и индуцированным каналом р-типа, для применения в усилителях с высоким входным сопротивлением и переключающих устройствах 5 389.66 руб. 
КТ897Б 125 108.00 руб. 
КП507А Кремниевый полевой P-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и обогащением канала, изготавлен по эпитаксиально-планарной технологии 181 39.27 руб. 
2П302Б 1 211.20 руб. 
2П312А 148 672.00 руб. 
2Т625А-2
80 48.96 руб. 
2Т643А-2 47 1 200.00 руб. 
2Т837А 1 126.00 руб. 
2Т950Б
22 2 509.06 руб. 
2ТС3136Б-1Н
1 183 158.40 руб. 
 
 
 
 
 
| 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 |