ТРАНЗИСТОРЫ

← | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 | 26 | →
Наименование
Описание
Кол-во
Цена
Купить
2Т608А 75 198.72 руб. 
2Т663А 		63 252.00 руб. 
2Т828А 2 252.00 руб. 
2Т9104Б 		16 1 942.50 руб. 
2Т9123Б 		26 731.57 руб. 
2Т932А 260 88.80 руб. 
2Т933А 80 127.01 руб. 
2Т933Б 80 127.01 руб. 
2Т933Б 80 122.47 руб. 
2Т980Б 		36 6 182.40 руб. 
2ТС398А-1 		80 43.09 руб. 
3П325А-2 266 Заказ радиодеталей
3П326А-2 		1 067 63.00 руб. 
3П339А-2 		94 111.00 руб. 
ГТ108А 		266 27.22 руб. 
ГТ403В 		80 36.29 руб. 
ГТ905А 266 140.62 руб. 
КП303А Tранзистор полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. 11 308 30.24 руб. 
КП303Б Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа, для применения во входных каскадах усилителей 1 200 148.78 руб. 
КП303Д Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе управляющего p-n перехода и каналом n-типа, для применения во входных каскадах усилителей высокой частоты частот с высоким входным сопротивлением 800 40.82 руб. 
КП303Е Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа 200Вт, 25В, 20мА 8 687 37.80 руб. 
КП303Ж Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа 20 083 25.20 руб. 
КП307А Транзистор кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа для применения во вх. и вых. каскадах усилителей выс.и низ.частот с высоким вх. сопр. 80 54.43 руб. 
КП307Б 80 54.43 руб. 
КП307Б1 		800 27.22 руб. 
КП307Е никель 400 54.43 руб. 
КП308В-1 		242 25.20 руб. 
КП501В 		266 22.68 руб. 
КП502А 		1 577 42.84 руб. 
КП508А Кремниевые полевые P-канальные транзисторы средней мощности с изолированным затвором и обогащением канала, эпитаксиально-планарные , оснащены встроенным обратновключенным защитным диодом. 895 40.32 руб. 
КП523А 		4 800 50.40 руб. 
КП707В2 (BUZ90) 2 199.80 руб. 
КП746А 		44 113.40 руб. 
КП785А 		53 276.70 руб. 
КП813Б 		8 299.38 руб. 
КП948Б 		2 132 25.20 руб. 
КТ201АМ 800 18.14 руб. 
КТ209В 800 14.97 руб. 
КТ209Е 3 080 11.10 руб. 
КТ209Ж 800 14.97 руб. 
КТ209К Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц, для применения в усилительных и импульсных микромодулях и блоках герметизированной аппаратуры, КТ209Б1, КТ209В1 - в блоках ТВ п 2 400 20.41 руб. 
КТ209Л 12 432 5.32 руб. 
КТ209М 1 456 11.10 руб. 
КТ219А 		22 23.51 руб. 
КТ3102АМ Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц 12 042 13.86 руб. 
КТ3102ВМ Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный 2 623 11.10 руб. 
КТ3102ДМ 533 12.70 руб. 
КТ3107А Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, 250Вт, 200МГц 5 333 15.62 руб. 
КТ3107Б Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц 1 242 15.12 руб. 
КТ3107В Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p 8 190 5.04 руб. 
 
 
 
 
 
← | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 | 26 | →