ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

| 99 | 100 | 101 | 102 | 103 | 104 | 105 | 106 | 107 | 108 |
Наименование
Описание
Кол-во
Цена
Купить
КТ817А Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 562 45.79 руб. 
КТ817Б Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт 1 586 45.79 руб. 
КТ817В Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, 3МГц, 25Вт 3 381 20.35 руб. 
КТ817Г Транзистор средней мощности среднечастотный структуры NPN усилительный 13 036 40.70 руб. 
КТ818А Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, для применения в усилителях и переключающих устройствах 440 42.88 руб. 
КТ818АМ Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, для применения в усилителях и переключающих устройствах 200 65.45 руб. 
КТ818Б Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, для применения в усилителях и переключающих устройствах 845 40.63 руб. 
КТ818БМ 175 65.45 руб. 
КТ818В Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, для применения в усилителях и переключающих устройствах 800 63.71 руб. 
КТ818Г Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный 3 365 101.76 руб. 
КТ818ГМ Транзистор большой мощности среднечастотный структуры PNP 418 559.68 руб. 
КТ819А 283 38.31 руб. 
КТ819АМ 80 114.48 руб. 
КТ819Б Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные, для применения в усилителях и переключающих устройствах 194 66.24 руб. 
КТ819БМ 86 101.76 руб. 
КТ819В Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN переключательный 240 83.90 руб. 
КТ819ВМ 148 94.79 руб. 
КТ819ГМ Транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN 50 242.88 руб. 
КТ820В-1
53 25.30 руб. 
КТ825Г Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А 80 Заказ радиодеталей
КТ825Г Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А 80 1 405.44 руб. 
КТ825Д 53 1 241.47 руб. 
КТ826А 40 365.41 руб. 
КТ826Б 80 365.41 руб. 
КТ826В 8 299.83 руб. 
КТ827В Составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN 8 1 302.37 руб. 
КТ827В Составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN 8 632.45 руб. 
КТ828Б
60 114.48 руб. 
КТ829А Транзистор кремниевый NPN составной усилительный 12А, 60Вт, 100В, 120пФ 1 029 89.04 руб. 
КТ829Б Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный 400 63.71 руб. 
КТ829В 116 20.31 руб. 
КТ830А Биполярный транзистор PNP 5Вт, 5А, 35В, 4МГц 199 191.84 руб. 
КТ830Г 1 160 146.70 руб. 
КТ835А 800 29.98 руб. 
КТ835Б 728 25.44 руб. 
КТ837А 137 25.44 руб. 
КТ837Б 80 Заказ радиодеталей
КТ837Б 80 46.85 руб. 
КТ837В 374 56.42 руб. 
КТ837Ж 114 20.35 руб. 
КТ837Л 309 31.41 руб. 
КТ837М 220 31.41 руб. 
КТ837Н 1 24.83 руб. 
КТ837Р 40 78.70 руб. 
КТ837С
110 25.44 руб. 
КТ837Т 400 54.34 руб. 
КТ837У 632 38.16 руб. 
КТ837Ф 918 30.53 руб. 
КТ837Х 80 19.87 руб. 
КТ840А
316 142.19 руб. 
 
 
 
 
 
| 99 | 100 | 101 | 102 | 103 | 104 | 105 | 106 | 107 | 108 |