ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ
|
Наименование
|
Описание
|
Кол-во
|
Цена
|
Купить
|
|---|---|---|---|---|
| П309М | 533 | 25.72 руб. | ||
| П416А | 400 | 25.72 руб. | ||
| П416Б | 413 | 18.15 руб. | ||
| П417А | 224 | 31.87 руб. | ||
| П702 | 1 726 | 45.38 руб. | ||
2Т368А
|
53 | 623.94 руб. | ||
2Т504А
|
5 | 1 021.14 руб. | ||
КП501А
|
Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и обогащением канала | 9 132 | 36.31 руб. | |
КТ9180А
|
1 880 | 31.77 руб. | ||
П605А
|
13 | 113.46 руб. | ||
КТ830В
|
никель | 40 | 366.74 руб. | |
| П403А | 8 | 15.88 руб. | ||
| КТ807А | 4 | 11.35 руб. | ||
| МП25Б | 266 |
|
||
| 2Т117А | 41 | 495.94 руб. | ||
| 2Т321Е | 1 876 | 22.69 руб. | ||
| 2Т9104А | 26 | 2 095.67 руб. | ||
2Т912Б
|
2 | 993.91 руб. | ||
КП103Л1
|
Полевой транзистор P-канальный, 12В, 0.066Вт | 704 | 91.75 руб. | |
КП350Б
|
4 | 295.00 руб. | ||
КТ315Д
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, для применения в усилителях высокой, промежуточной и низкой частоты | 50 180 | 6.81 руб. | |
|
КТ315Д1
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, для применения в усилителях высокой, промежуточной и низкой частоты | 800 | 17.15 руб. | |
КТ361А1
|
(КТ361А) | 44 000 | 7.44 руб. | |
КТ878Б
|
1 | 340.38 руб. | ||
КТ934А
|
3 | 1 202.68 руб. | ||
КТ934Б
|
1 | 1 179.98 руб. | ||
| МП41 | 4 | 15.88 руб. | ||
2П907А
|
40 | 885.90 руб. | ||
| 2Т331Б-1 | 64 | 17.66 руб. | ||
2П923Б
|
2 | 1 815.36 руб. | ||
2Т3117А
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц | 77 | 794.22 руб. | |
| КТ863А | 582 | 68.08 руб. | ||
2Т312В
|
799 | 862.30 руб. | ||
| П402 | 80 | 35.25 руб. | ||
КТ639Е
|
80 | 39.06 руб. | ||
2Т708А
|
Биполярный универсальный транзистор p-n-p 100В, 2.5А, 3МГц, 5Вт | 5 | 528.68 руб. | |
КТ6114А
|
(SS8050B) | 533 | 15.24 руб. | |
КТ6115А
|
(SS8550B) | 800 | 15.24 руб. | |
| 2Т388А-2 | 342 | 68.08 руб. | ||
| 2Т708В | 107 | 408.46 руб. | ||
КТ897Б
|
111 | 102.11 руб. | ||
КП507А
|
Кремниевый полевой P-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и обогащением канала, изготавлен по эпитаксиально-планарной технологии | 7 086 | 45.38 руб. | |
| 2П201Б-1 | 350 | 86.23 руб. | ||
| 2П201Д-1 | 5 | 90.77 руб. | ||
| 2Т625А-2 | 80 | 40.96 руб. | ||
2Т643А-2
|
7 | 1 722.24 руб. | ||
2Т837А
|
5 | 106.65 руб. | ||
2Т946А
|
19 | 2 656.28 руб. | ||
| 2Т950Б | 22 | 2 695.81 руб. | ||
| 2ТС3136Б-1Н | 1 183 | 170.19 руб. | ||
