ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

| 103 | 104 | 105 | 106 | 107 | 108 | 109 | 110 | 111 | 112 |
Наименование
Описание
Кол-во
Цена
Купить
П217
1 18.06 руб. 
П217А
3 420 50.88 руб. 
П29
40 29.98 руб. 
П302
53 44.97 руб. 
П303А
26 36.11 руб. 
П306
190 25.44 руб. 
П306А
400 69.34 руб. 
П306М1
439 8.83 руб. 
П307
1 225.70 руб. 
П307
1 270.84 руб. 
П307В 6 496.54 руб. 
П307ВМ
1 472 5.09 руб. 
П308М 8 521 5.09 руб. 
П309
34 541.68 руб. 
П309М
533 25.30 руб. 
П416А
400 25.30 руб. 
П416Б
453 20.35 руб. 
П417А
224 31.87 руб. 
П702
1 750 50.88 руб. 
2Т368А 53 613.71 руб. 
2Т504А 5 1 144.80 руб. 
КП501А Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и обогащением канала 9 212 40.70 руб. 
КТ9180А 1 880 35.62 руб. 
П605А 13 127.20 руб. 
КТ830В никель 40 360.73 руб. 
П403А
8 15.80 руб. 
КТ807А
4 11.29 руб. 
МП25Б
268 15.26 руб. 
2Т117А
41 495.94 руб. 
2Т321Е
1 876 25.44 руб. 
2Т9104А
26 2 061.31 руб. 
2Т912Б 2 988.57 руб. 
КП103Л1 Полевой транзистор P-канальный, 12В, 0.066Вт 704 91.75 руб. 
КП350Б 4 293.41 руб. 
КТ315Д Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, для применения в усилителях высокой, промежуточной и низкой частоты 50 180 6.77 руб. 
КТ315Д1 Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, для применения в усилителях высокой, промежуточной и низкой частоты 800 16.87 руб. 
КТ361А1 (КТ361А) 44 000 7.44 руб. 
КТ878Б 1 338.55 руб. 
КТ934А 3 1 196.21 руб. 
КТ934Б 1 1 173.64 руб. 
МП41
4 15.80 руб. 
2П907А 40 871.37 руб. 
2Т331Б-1
64 35.33 руб. 
2П923Б 2 2 035.20 руб. 
2Т3117А Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц 77 890.40 руб. 
КТ863А
582 76.32 руб. 
2Т312В 799 857.66 руб. 
П402
80 34.67 руб. 
КТ639Е 80 38.42 руб. 
2Т708А Биполярный универсальный транзистор p-n-p 100В, 2.5А, 3МГц, 5Вт 5 520.01 руб. 
 
 
 
 
 
| 103 | 104 | 105 | 106 | 107 | 108 | 109 | 110 | 111 | 112 |