ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

← | 105 | 106 | 107 | 108 | 109 | 110 | 111 | 112 | 113 | 114 | →

Наименование	Описание	Кол-во	Цена
П215		11	37.74 руб.
П216Б		42	17.76 руб.
П216В		112	15.54 руб.
П216Д		8	72.58 руб.
П217		1	15.54 руб.
П217А		3 460	30.24 руб.
П217Б		2	35.52 руб.
П217В		1	33.30 руб.
П29		40	27.22 руб.
П302		53	40.82 руб.
П303А		26	35.52 руб.
П306		262	25.20 руб.
П306А		400	63.50 руб.
П306М1		439	19.87 руб.
П307ВМ		1 571	5.04 руб.
П308М		8 765	5.04 руб.
П309		34	532.80 руб.
П309М		533	22.68 руб.
П416А		400	22.68 руб.
П416Б		4 132	26.12 руб.
П417А		240	31.36 руб.
П702		2 186	25.20 руб.
2Т368А		80	567.00 руб.
2Т504А		69	1 134.00 руб.
КП501А	Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и обогащением канала	11 644	40.32 руб.
КТ9180А		1 880	35.28 руб.
П605А		19	63.00 руб.
КТ830В	никель	40	331.13 руб.
П403А		11	15.54 руб.
КТ807А		24	13.32 руб.
МП25Б		280	15.12 руб.
2Т117А		46	495.94 руб.
2Т321Е		1 912	25.20 руб.
2Т9104А		26	1 905.12 руб.
2Т912Б		2	972.36 руб.
КП 103Л1	Полевой транзистор P-канальный, 12В, 0.066Вт	696	40.32 руб.
КП103Л1	Полевой транзистор P-канальный, 12В, 0.066Вт	576	61.99 руб.
КП350Б		4	288.60 руб.
КТ315Д	Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, для применения в усилителях высокой, промежуточной и низкой частоты	50 980	6.66 руб.
КТ315Д ЖЕЛТ.	Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, для применения в усилителях высокой, промежуточной и низкой частоты	1 600	2.52 руб.
КТ315Д1	Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, для применения в усилителях высокой, промежуточной и низкой частоты	800	14.97 руб.
КТ361А1	(КТ361А)	44 000	7.44 руб.
КТ878Б		2	302.40 руб.
КТ934А		5	793.80 руб.
КТ934Б		1	1 154.40 руб.
МП41		4	15.54 руб.
2П907А		80	802.87 руб.
2Т331Б-1		64	57.41 руб.
2П923Б		4	2 016.00 руб.
2Т919Б		2	843.60 руб.

← | 105 | 106 | 107 | 108 | 109 | 110 | 111 | 112 | 113 | 114 | →