ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ
|
Наименование
|
Описание
|
Кол-во
|
Цена
|
Купить
|
|---|---|---|---|---|
| FDC6333C | 72 | 45.38 руб. | ||
| FDC638P | 80 |
|
||
FDD03-12S4
|
DC/DC преобразователь мощностью 3 Вт, Uвх=9:36В, выход 12В/250мА, изоляция 1500В DC, корпус DIP24 32х20х12мм, -25°С:+71°С | 920 | 1 474.98 руб. | |
FDD03-15S3
|
DC/DC преобразователь мощностью 3 Вт, Uвх=36:72В, выход 15В/200мА, изоляция 1500В DC, корпус DIP24 32х20х12мм, -25°С:+71°С | 8 | 1 338.37 руб. | |
| FDD3682 | 1 |
|
||
| FDD6637 | P-канальный ПТ, VDS,В 35, ID 13, Ptot,Вт 1.3 | 3 040 | 80.59 руб. | |
FDD8447L
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (40V, 50A, 44W Logic-Level) | 240 | 29.95 руб. | |
FDD8878
|
N-channel powertrench mosfet | 4 |
|
|
| FDG6322C | 4 |
|
||
| FDH300 | 4 015 | 27.23 руб. | ||
| FDMA507PZ | 40 |
|
||
| FDN302P | 9 000 | 3.38 руб. | ||
| FDN304P | 8 600 | 3.67 руб. | ||
FDN335N
|
N-channel 2.5v specified powertrench mosfet | 9 600 | 3.07 руб. | |
FDN337N
|
N-channel logic level enhancement mode field effect transistor | 8 400 | 3.53 руб. | |
| FDN338P | 6 640 | 5.02 руб. | ||
| FDN340P | 40 |
|
||
FDN357N
|
N-channel logic level enhancement mode field effect transistor | 7 200 | 7.46 руб. | |
FDN360P
|
MOSFET транзистор Р - канальный, 30В, 2А | 9 600 | 3.66 руб. | |
| FDN5618P | 6 480 | 8.32 руб. | ||
FDN5630
|
60v n-channel powertrench mosfet | 4 560 | 6.06 руб. | |
| FDN86246 | 1 400 | 13.16 руб. | ||
| FDS4435BZ | 1 840 | 13.02 руб. | ||
| FDS6612A | 2 |
|
||
FDS8812NZ
|
N-channel powertrench mosfet | 1 200 | 68.08 руб. | |
| FDS9431A | P-канальный полевой транзистор (Vds=-20V, Id=-3,5A, Rds(on) =130mOhm@Vgs=4,5V, P=1W) | 2 160 | 17.27 руб. | |
| FDS9435A | 9 760 | 4.64 руб. | ||
FDV301N
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (25V, 0.22A, 0.35W) | 11 600 | 4.00 руб. | |
FDV303N
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (25V, 0.68A, 0.35W) | 1 200 | 1.52 руб. | |
FDV305N
|
20v n-channel powertrench mosfet | 9 000 | 3.67 руб. | |
| FF150R12KE3G | модуль IGBT | 10 | 22 163.28 руб. | |
FFB5551
|
4 |
|
||
FGH40N60SFDTU
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop | 448 | 248.42 руб. | |
FGH40N60SMD
|
Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 40А, 390Вт | 1 196 | 249.65 руб. | |
FGH40N60UFDTU
|
Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 80А, 290Вт | 66 | 458.74 руб. | |
| FGH60N60SMD | 1 120 | 371.95 руб. | ||
| FGL60N100BNTD | 10 | 1 474.98 руб. | ||
FJAF6812
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN hi-res, 1500V, 12A, 60W, Tf<200nS | 53 | 347.69 руб. | |
| FLZ12VA | 4 |
|
||
| FM1808-70-S | FRAM parallel 32Kx8 70 нс, 10 млрд.циклов, Uпит=4.5:5.5В, -40°:+85°С | 230 | 635.38 руб. | |
| FM22L16-55-TG | 93 | 1 930.93 руб. | ||
| FM25CL64-GTR | Память FRAM, 8Кбайт, SPI (режимы 0 и 3) до 20 МГц, неогр.кол-во циклов, Uпит=2.7:3.65В, -40°:+85°С, Pb-Free | 1 512 | 192.88 руб. | |
| FM25V02-G | 1 |
|
||
| FM31256-G | FRAM 32Kбайт + RTC + WDT + PSM + Reset+ PFI/PFO + счетчик событий до 2Е32, I2C до 1 Мгц, неогр.кол-во циклов, Uпит=2.7:5.5В, -40°:+85°C, nSOIC14, Pb-Free | 179 | 1 113.30 руб. | |
| FM31278-G | ИМС RTC/календарь /сторож/FRAM256 | 89 | 567.30 руб. | |
| FMB2907A | 800 | 33.34 руб. | ||
| FMMT459TA | 2 384 | 43.11 руб. | ||
| FMMT555TA | 20 |
|
||
| FMMT560TA | 3 950 | 38.58 руб. | ||
FMMT591ATA
|
470 | 29.50 руб. | ||
