ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ
|
Наименование
|
Описание
|
Кол-во
|
Цена
|
Купить
|
|---|---|---|---|---|
BPV10NF
|
PIN фотодиод 5мм, 60В, черный, 40°, 215мВт, 60мА | 496 | 50.83 руб. | |
| BPW20RF | Фототранзистор инфракрачный | 234 | 710.36 руб. | |
BPW21R
|
Фотодиод 560нм МАЛОШУМ.100' | 360 | 1 066.26 руб. | |
BPW41N
|
ИК-фотодиод 950nm, 2 контакта, 60В,100нс, 215 мВт | 784 | 85.55 руб. | |
BPW85C
|
Фототранзистор 3мм, 620.980 нм | 1 866 | 34.04 руб. | |
| BQ-M51DRD | Семисегм. индикатор, 4 разряда, красный, 660nm, Iv=7,5mcd@10mA, общ. анод, размер символа 14,20х8,10мм, -40С/+80С | 16 | 317.69 руб. | |
| BQ24012DRCR | 4 |
|
||
| BQ24070RHLR | 184 | 181.09 руб. | ||
| BQ24075TRGTT | 4 |
|
||
| BQ24090DGQR | 30 | 468.72 руб. | ||
| BQ24100RHLR | IC LI-ION/POL CHARGE MGMT (4.35 V ~ 16 V, 40°C ~ 85°C) | 362 | 367.90 руб. | |
BQ24315DSGR
|
3 | 45.85 руб. | ||
| BQ24620EVM | 2 | 14 069.04 руб. | ||
| BQ24650RVAR | 78 | 433.94 руб. | ||
BQ24703EVM
|
2 | 9 076.80 руб. | ||
| BR100/03 | ДИНИСТОР 28-36В 2А DO35 | 4 |
|
|
| BR1112H-TR | 47 | 25.91 руб. | ||
| BR24C64 | CMOS EEPROM 64K (8192x8) I2C-bus, | 53 | 115.26 руб. | |
BR24L08FJ-WE2
|
34 | 74.88 руб. | ||
| BR310 | ДиодНЫЕ мостЫ 3A 1000V | 4 | 19.07 руб. | |
| BR810 | ДиодНЫЙ МОСТ 1000V 8A | 17 | 113.46 руб. | |
| BRS-1A12 | 1 | 147.50 руб. | ||
BS-115C-12A-12VDC
|
Реле электромеханическое +12В/10А | 2 | 186.07 руб. | |
| BS170FTA | 247 | 96.35 руб. | ||
| BS62LV1027SIP55 | ИМС SRAM 2,4-5,5V | 1 | 1 361.52 руб. | |
| BS62LV256PC-70 | 6 | 453.84 руб. | ||
| BS62LV256PIP55 | 4 | 499.22 руб. | ||
| BS62LV256SIP-70 | Статическая память (SRAM) (32K x 8 bit, 70ns, Vcc=2.4-5.5V, Vdr=1.5V, -40 to +85C), Pb-free. | 253 | 170.19 руб. | |
| BS62LV256SIP-70 | Статическая память (SRAM) (32K x 8 bit, 70ns, Vcc=2.4-5.5V, Vdr=1.5V, -40 to +85C), Pb-free. | 253 | 170.19 руб. | |
BSN20
|
N-channel enhancement mode field-effect transistor | 6 800 | 1.82 руб. | |
| BSN254A | Транзистор полевой SMD N-MOS 250V, 0.3A, 1W (Pin S-G-D) | 4 571 | 297.02 руб. | |
| BSP129 | N-ch 100V 0,37A 6R | 407 | 68.08 руб. | |
| BSP170P | 512 | 24.50 руб. | ||
BSP220
|
P-channel enhancement mode vertical d-mos transistor | 799 | 19.13 руб. | |
BSP250
|
P-channel enhancement mode vertical d-mos transistor | 35 | 34.39 руб. | |
| BSP254A | 80 | 103.83 руб. | ||
| BSP297 | 80 |
|
||
| BSP317P | 4 651 |
|
||
| BSP52 | Транзистор биполярный составной NPN-Darl+Dio 80V 1A 1,5W B>1000 | 800 |
|
|
| BSP742T | Smart Power High-Side-Switch 5...34V 0.4Ohm 1.1A, DSO8 | 3 992 | 136.15 руб. | |
| BSP752R | 51 | 215.57 руб. | ||
| BSP762T | 3 |
|
||
| BSP88 | 102 | 28.36 руб. | ||
BSP89
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (240V, 360mA, 6om) | 8 800 | 45.38 руб. | |
BSP89 E6327
|
13 168 |
|
||
BSP89,115
|
24 |
|
||
| BSP92 | P-канальный Полевой транзистор (Vds=240V, Id=200mA, Rds=20 R), smd. | 533 | 77.16 руб. | |
BSR14
|
Транзистор S-N 40В, 0.8A, 0.3, SOT23 | 2 400 | 6.21 руб. | |
| BSR15 | Транзистор биполярный SMD | 96 |
|
|
| BSR19 | Транзистор биполярный SMD | 810 | 2.33 руб. | |
