ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ
|
Наименование
|
Описание
|
Кол-во
|
Цена
|
Купить
|
|---|---|---|---|---|
| FDLL4448 | 1 137 | 3.17 руб. | ||
| FDMA507PZ | 40 |
|
||
| FDN302P | 9 000 | 3.95 руб. | ||
| FDN304P | 8 600 | 4.25 руб. | ||
FDN335N
|
N-channel 2.5v specified powertrench mosfet | 9 600 | 3.79 руб. | |
FDN337N
|
N-channel logic level enhancement mode field effect transistor | 8 400 | 4.09 руб. | |
| FDN338P | 6 800 | 5.51 руб. | ||
| FDN340P | 40 |
|
||
FDN357N
|
N-channel logic level enhancement mode field effect transistor | 7 200 | 7.46 руб. | |
| FDN358P | 32 | 10.98 руб. | ||
FDN360P
|
MOSFET транзистор Р - канальный, 30В, 2А | 9 600 | 4.52 руб. | |
| FDN5618P | 6 960 | 10.28 руб. | ||
FDN5630
|
60v n-channel powertrench mosfet | 4 560 | 7.04 руб. | |
| FDN86246 | 1 480 | 16.27 руб. | ||
| FDS4435BZ | 1 920 | 13.02 руб. | ||
| FDS6612A | 2 |
|
||
FDS8447
|
Single n-channel powertrench mosfet | 20 | 57.74 руб. | |
| FDS9431A | P-канальный полевой транзистор (Vds=-20V, Id=-3,5A, Rds(on) =130mOhm@Vgs=4,5V, P=1W) | 2 320 | 17.27 руб. | |
| FDS9435A | 10 160 | 5.74 руб. | ||
FDV301N
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (25V, 0.22A, 0.35W) | 11 600 | 4.93 руб. | |
FDV303N
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (25V, 0.68A, 0.35W) | 400 | 1.87 руб. | |
FDV305N
|
20v n-channel powertrench mosfet | 9 000 | 4.26 руб. | |
FEP16DT
|
3 | 48.11 руб. | ||
| FF150R12KE3G | модуль IGBT | 10 | 21 682.74 руб. | |
FFB5551
|
4 |
|
||
FGH40N60SFDTU
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop | 304 | 316.06 руб. | |
FGH40N60SMD
|
Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 40А, 390Вт | 284 | 223.90 руб. | |
FGH40N60UFDTU
|
Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 80А, 290Вт | 80 | 458.74 руб. | |
| FGH60N60SMD | 48 | 632.51 руб. | ||
| FIS115NL | 27 | 237.07 руб. | ||
FJAF6812
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN hi-res, 1500V, 12A, 60W, Tf<200nS | 53 | 341.99 руб. | |
| FLZ12VA | 4 |
|
||
| FM1808-70-S | FRAM parallel 32Kx8 70 нс, 10 млрд.циклов, Uпит=4.5:5.5В, -40°:+85°С | 230 | 712.32 руб. | |
| FM22L16-55-TG | 97 | 1 930.93 руб. | ||
| FM25CL64-S | Ферроэлектрическая энергонезавис. память (FRAM) (8K x 8bit, SPI interface to 20 MHz, 10 лет, Vcc=+3.0-3.65V, Is=1uA, -40 to +85C) | 2 | 195.31 руб. | |
| FM25V02-G | 1 |
|
||
| FM31256-G | FRAM 32Kбайт + RTC + WDT + PSM + Reset+ PFI/PFO + счетчик событий до 2Е32, I2C до 1 Мгц, неогр.кол-во циклов, Uпит=2.7:5.5В, -40°:+85°C, nSOIC14, Pb-Free | 76 | 421.80 руб. | |
| FMB2907A | 800 | 32.79 руб. | ||
| FMMT459TA | 2 384 | 42.18 руб. | ||
| FMMT555TA | 20 |
|
||
| FMMT560TA | 3 950 | 37.74 руб. | ||
FMMT591ATA
|
470 | 28.86 руб. | ||
| FMMT617TA | Биполярный транзистор PBF SOT23 15В, 3А, 625мВт | 1 461 | 28.86 руб. | |
FMMT619TA
|
TRANS HP NPN 50V 2000MA SOT23-3 | 26 |
|
|
| FMMT717TA | 7 040 | 28.86 руб. | ||
| FMMT720TA | TRANS SW PNP 40V 1.5A SOT23-3 | 31 |
|
|
| FN2200-150-40 | 1 | 66 600.00 руб. | ||
FN3258-180-40
|
1 |
|
||
FN355-6-05
|
48 | 13 142.30 руб. | ||
FN402-1.6-02
|
4 |
|
||
