ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ
|
Наименование
|
Описание
|
Кол-во
|
Цена
|
Купить
|
|---|---|---|---|---|
|
|
Транзистор полевой P-канальный (Vds=55V, Id=74A@T=25C, Id=52A@T=100C, Rds=0.02 R@Vgs=10V, P=200W, -55 to 175C), Pb-free. | 854 | 80.32 руб. | |
| IRF4905STRLPBF | 2 400 | 90.51 руб. | ||
|
|
Транзистор полевой N-канальный 100V, 5.5A, 70W | 400 | 90.72 руб. | |
|
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V, 5.6A, 43W, 0.54R) | 78 | 175.38 руб. | |
|
|
Hexfet® power mosfet | 12 |
|
|
|
|
Транзистор полевой N-Канальный 100В, 9.2А, 60Вт | 8 | 104.33 руб. | |
|
|
Транзистор полевой P-канальный (Vds=100V, Id=40A@T=25C, Id=29A@T=100C) | 616 | 73.22 руб. | |
|
|
Транзистор полевой P-канальный (Vds=100V, Id=40A@T=25C, Id=29A@T=100C) | 20 |
|
|
|
|
Транзистор полевой P-канальный (Vds=100V, Id=40A@T=25C, Id=29A@T=100C) | 1 224 | 102.82 руб. | |
|
|
Транзистор полевой P-канальный (Vds=100V, Id=40A@T=25C, Id=29A@T=100C) | 16 | 80.59 руб. | |
| IRF5210STRLPBF | 1 372 | 94.14 руб. | ||
|
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 R@Vgs=10V, P=90W, -55 to 175C) | 80 | 74.84 руб. | |
|
|
Транзистор полевой P-канальный (Vds=55V, Id=31A@t=25C, Id=22A@t=100C) | 200 | 41.42 руб. | |
|
|
Силовой МОП-Транзистор P-канальный Vси = -55 В, Rоткр = 0.06 Ом, Id(25°C) = -31A | 768 | 61.07 руб. | |
|
|
Транзистор полевой SMD | 507 | 51.71 руб. | |
|
|
Транзистор полевой N-MOS 100V, 17A, 79W | 1 660 | 26.50 руб. | |
| IRF530NPBF | Полевой транзистор | 1 120 | 38.81 руб. | |
|
|
Транзистор полевой SMD | 1 200 | 48.79 руб. | |
| IRF530NSTRLPBF | 82 | 82.13 руб. | ||
|
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 R@Vgs=10V, P=140W, -55 to 175C) | 667 | 95.46 руб. | |
|
|
Полевой транзистор N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.044 R@Vgs=10V, P=130W, -55 to 175C), Pb-free. | 4 640 | 69.43 руб. | |
|
|
Транзистор полевой SMD | 304 | 49.20 руб. | |
| IRF540NSTRLPBF | 780 | 46.63 руб. | ||
|
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel | 154 | 75.82 руб. | |
| IRF5801TRPBF | N-канальный 200В 0.6А Micro6 | 360 | 37.20 руб. | |
| IRF5803D2PBF | 1 | 45.87 руб. | ||
| IRF5803TRPBF | P-канальный -40В -3.4А Micro6 | 424 | 74.39 руб. | |
|
|
24 |
|
||
|
|
Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 200 В, Rоткр = 0.8 Ом, Id(25°C) = 5.2 A корпус TO-220AB. | 75 | 38.95 руб. | |
| IRF6216TRPBF | 3 100 | 54.24 руб. | ||
|
|
Hexfet® power mosfet | 80 | 49.90 руб. | |
|
|
Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт | 80 | 72.58 руб. | |
|
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=9.3A@T=25C, Id=6.5A@T=100C, Rds=0.30 R@Vgs=10V, P=82W, -55 to 175C) | 16 | 80.64 руб. | |
|
|
Транзистор полевой SMD | 35 | 252.00 руб. | |
|
|
Транзистор полевой MOSFET | 80 | 49.90 руб. | |
|
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, P=150W, -55 to 175C) | 1 014 | 106.56 руб. | |
|
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, P=150W, -55 to 175C) | 1 560 | 175.97 руб. | |
|
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, P=150W, -55 to 175C) | 479 | 66.60 руб. | |
| IRF640NSTRLPBF | 950 | 48.70 руб. | ||
|
|
N-канальный 200В 18А | 182 | 113.40 руб. | |
| IRF640SPBF | N-Ch 200V 18A 3,1W 0,18R | 43 | 118.25 руб. | |
| IRF6645TRPBF | 23 | 161.18 руб. | ||
|
|
Транзистор полевой N-канальный 400В, 2А | 266 | 49.90 руб. | |
| IRF7101PBF | 2N- | 2 | 37.20 руб. | |
|
|
Сдвоенные N-канальные с упр. логич. уровнем Vси = 50 В, Rоткр = 0.13 Ом, Id(25°C) = 3 A | 96 | 63.00 руб. | |
|
|
Сдвоенный N-канальный полевой транзистор (Vds=50V, Id=3.0A@t=25C, 2.3A@t=70C) | 3 482 | 25.40 руб. | |
|
|
Сдвоенный P-канальный Полевой транзистор (Vds=20V, Id=2.3A@t=25C, 1.8A@t=70C) | 1 660 | 37.91 руб. | |
| IRF7104TRPBF | 3 180 | 47.29 руб. | ||
|
|
N-канальный и P-канальный Полевой транзистор в одном корпусе(Vds=25V, Id=3.5A/2.3A, Rds=0.10/0.25 R, P=2.0W, -55 to +150C), smd. | 2 840 | 39.67 руб. | |
|
|
Транзистор N-канальный (400V, 2A, 36W, 3.6R) | 540 | 68.83 руб. | |

