ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ
|
Наименование
|
Описание
|
Кол-во
|
Цена
|
Купить
|
|---|---|---|---|---|
|
|
P-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=11A@T=25C, Id=8A@T=100C, Rds=0.175 R (max), P=38W, -55 to +150C) | 8 | 90.77 руб. | |
|
|
Транзистор полевой N-MOS 55V, 17A, 45W | 80 | 70.49 руб. | |
|
|
N-канальный Полевой транзистор, VDS,В 70 mOhm @ 10A, 10V, ID 4V @ 250µA, Ptot,Вт 45W | 2 | 53.31 руб. | |
|
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel | 23 | 295.00 руб. | |
|
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=29A@T=25C, Id=20A@T=100C, Rds=0.04 R, P=68W, -55 to +175C) | 53 | 87.64 руб. | |
|
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET | 71 | 147.50 руб. | |
|
|
Транзистор полевой N-MOS 60V, 48A, 110W | 8 | 99.07 руб. | |
|
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, Rds=17.5mOhm(max), P=94W, -55 to +175C) | 800 | 99.07 руб. | |
|
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, Rds=17.5 mOhm(typ), P=94W, -55 to +175C), Pb-free. | 5 360 | 26.04 руб. | |
|
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, Rds=17.5mOhm(max), P=94W, -55 to +175C). | 920 | 32.14 руб. | |
|
|
72 | 173.58 руб. | ||
|
|
Транзистор полевой N-MOS 55V, 53A, 107W | 744 | 44.42 руб. | |
|
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=55V, Id=64A@T=25C, Id=45A@T=100C, Rds=16 mOhm (max), P=140 W, -55 to +175C). | 266 | 131.46 руб. | |
|
|
Полевой транзистор N-Канальный 55V 53A 94W 0,016R | 2 | 49.59 руб. | |
|
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET | 16 | 98.27 руб. | |
| IRFZ48NSPBF | 154 | 54.59 руб. | ||
| IRFZ48NSTRLPBF | 400 | 173.58 руб. | ||
|
|
Hexfet® power mosfet | 80 | 141.93 руб. | |
|
|
Модули IGBT 600V 28A 100W | 128 | 297.56 руб. | |
| IRG4PC40FD | Транзистор IGBT модуль единичный | 1 | 431.15 руб. | |
| IRG4PC40KD | Транзистор IGBT модуль единичный | 1 | 431.15 руб. | |
|
|
Транзистор IGBT модуль единичный 600V, 40A, 160W (UltraFast) | 80 | 481.05 руб. | |
| IRG4PC50KD | Транзистор IGBT модуль единичный | 1 | 431.15 руб. | |
|
|
Транзистор IGBT модуль единичный 1200В 41A TO247AC | 5 | 785.88 руб. | |
| IRG4PH40UDPBF | Транзистор 1200V 41A 160W TO247AC | 22 | 1 487.81 руб. | |
| IRG4PH40UPBF | МОДУЛЬ IGBT 1200V 41A 160W TO247AC | 32 | 2 747.94 руб. | |
|
|
Транзистор IGBT модуль единичный 1200В 78А | 2 | 816.91 руб. | |
| IRG4PSH71UDPBF | 4 |
|
||
|
|
120 | 512.40 руб. | ||
| IRGB10B60KD | 98 | 91.72 руб. | ||
|
|
3 | 359.55 руб. | ||
|
|
586 | 545.95 руб. | ||
|
|
10 | 263.92 руб. | ||
| IRGP4062D | 4 | 499.22 руб. | ||
| IRGP4062D | 4 | 499.22 руб. | ||
| IRGP4063DPBF | 392 | 706.71 руб. | ||
|
|
IGBT транзистор 600В, 330Вт | 232 | 657.12 руб. | |
|
|
Транзистор полевой 650В 30Вт | 509 | 109.19 руб. | |
| IRKH91/12A | 6 | 2 269.20 руб. | ||
| IRL1404ZPBF | N-MOS 60V, 72A, 150W | 156 | 236.59 руб. | |
|
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel | 5 | 300.06 руб. | |
|
|
Транзистор полевой | 40 | 176.23 руб. | |
| IRL2505PBF | 120 | 235.57 руб. | ||
|
|
14 | 457.53 руб. | ||
|
|
Транзистор полевой N-MOS 55В, 89A, 170Вт(Logic-Level) | 14 | 158.84 руб. | |
|
|
Транзистор полевой N-MOS 55В, 89A, 170Вт(Logic-Level) | 104 | 173.58 руб. | |
| IRL3714ZPBF | 4 | 109.19 руб. | ||
|
|
Транзистор полевой N-MOS 30V, 140A, 200W (Logic-Level) | 53 | 233.38 руб. | |
| IRL520NPBF | 800 | 23.76 руб. | ||
|
|
Транзистор полевой N-канальный 100В 17A logic | 1 | 267.77 руб. | |

