ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ
|
Наименование
|
Описание
|
Кол-во
|
Цена
|
Купить
|
|---|---|---|---|---|
|
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (150V, 99A, 375W 0.0121R) | 50 | 652.68 руб. | |
|
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel | 40 | 158.76 руб. | |
|
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (200V, 62A, 330W, 0.026R) | 18 | 302.40 руб. | |
|
|
620 | 129.98 руб. | ||
| IRFS630B | N-MOS 200V, 5.9A, 35W | 8 | 113.40 руб. | |
| IRFU110PBF | 36 | 55.79 руб. | ||
| IRFU120NPBF | N-канальный Полевой транзистор (Vds=100V, Id=9.4A@T=25C, Rds=0.21 R@Vgs=10V, P=48W). | 1 600 | 42.49 руб. | |
|
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (60V, 43A) | 1 | 64.47 руб. | |
| IRFU4620PBF | 20 | 128.65 руб. | ||
| IRFU5305PBF | 1 160 | 64.51 руб. | ||
|
|
P-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=11A@T=25C, Id=8A@T=100C, Rds=0.175 R (max), P=38W, -55 to +150C) | 8 | 88.80 руб. | |
|
|
Транзистор полевой N-MOS 55V, 17A, 45W | 80 | 63.50 руб. | |
|
|
N-канальный Полевой транзистор, VDS,В 70 mOhm @ 10A, 10V, ID 4V @ 250µA, Ptot,Вт 45W | 2 | 55.79 руб. | |
|
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel | 25 | 288.60 руб. | |
|
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=29A@T=25C, Id=20A@T=100C, Rds=0.04 R, P=68W, -55 to +175C) | 53 | 81.65 руб. | |
|
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET | 71 | 144.30 руб. | |
|
|
Транзистор полевой N-MOS 60V, 48A, 110W | 8 | 90.72 руб. | |
|
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, Rds=17.5mOhm(max), P=94W, -55 to +175C) | 800 | 90.72 руб. | |
|
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, Rds=17.5 mOhm(typ), P=94W, -55 to +175C), Pb-free. | 5 760 | 27.28 руб. | |
|
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, Rds=17.5mOhm(max), P=94W, -55 to +175C). | 1 411 | 34.13 руб. | |
|
|
Транзистор полевой N-MOS 55V, 53A, 107W | 896 | 43.69 руб. | |
|
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=55V, Id=64A@T=25C, Id=45A@T=100C, Rds=16 mOhm (max), P=140 W, -55 to +175C). | 266 | 117.94 руб. | |
|
|
Полевой транзистор N-Канальный 55V 53A 94W 0,016R | 2 | 50.83 руб. | |
|
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET | 16 | 113.40 руб. | |
| IRFZ48NSPBF | 237 | 63.00 руб. | ||
|
|
Hexfet® power mosfet | 80 | 131.54 руб. | |
|
|
Модули IGBT 600V 28A 100W | 248 | 265.64 руб. | |
| IRG4PC40FD | Транзистор IGBT модуль единичный | 1 | 421.80 руб. | |
| IRG4PC40KD | Транзистор IGBT модуль единичный | 1 | 421.80 руб. | |
|
|
Транзистор IGBT модуль единичный 600V, 40A, 160W (UltraFast) | 80 | 435.46 руб. | |
|
|
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=40A@t=25C, Ic=20A@t=100C, Vce(on)=1.72V(typ), P=160W@t=25C, P=65W@t=100C, -55 to +150C) | 3 | 421.80 руб. | |
|
|
Транзистор IGBT модуль единичный | 1 | 421.80 руб. | |
| IRG4PC50KD | Транзистор IGBT модуль единичный | 1 | 421.80 руб. | |
|
|
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, Vce(on)=1.65V(typ), P=200W@t=25C, P=78W@t=100C, -55 to +150C) | 10 | 421.80 руб. | |
|
|
Транзистор IGBT модуль единичный 1200В 41A TO247AC | 5 | 712.15 руб. | |
|
|
Транзистор IGBT модуль единичный 1200В 78А | 2 | 799.20 руб. | |
| IRG4PSH71UDPBF | 4 |
|
||
|
|
4 | 1 638.00 руб. | ||
|
|
120 | 529.49 руб. | ||
| IRGB10B60KD | 111 | 105.84 руб. | ||
|
|
590 | 630.00 руб. | ||
|
|
10 | 272.76 руб. | ||
| IRGP4063DPBF | 344 | 855.49 руб. | ||
| IRGP50B60PD1PBF | Модуль IGBT 600В 75A 390Вт 150кГц | 1 | 1 965.60 руб. | |
|
|
Транзистор полевой 650В 30Вт | 509 | 126.00 руб. | |
| IRKH91/12A | 6 | 2 220.00 руб. | ||
| IRKT105/14AS90 | 2 | 10 851.36 руб. | ||
| IRL1404ZPBF | N-MOS 60V, 72A, 150W | 156 | 260.89 руб. | |
|
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel | 5 | 272.16 руб. | |
|
|
Транзистор полевой | 40 | 158.76 руб. | |

